深圳市荣轩电子商行

17年

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产品分类

集成电路(IC)(5)

电源IC(347)

半导体存储器(23)

二极管(63)

三极管(82)

场效应管MOSFET(15)

可控硅IGBT(4)

单片机(77)

电容器(1448)

电阻器(172)

电感器(341)

电位器(28)

微调电位器(166)

石英晶体器件(37)

压电陶瓷元件(6)

连接器/接插件(23)

开关(8)

传感器(1)

保险丝(45)

放电管(7)

普通电池/蓄电池/动力电池(2)

变压器(1)

继电器(28)

放大器(2)

电声元件(17)

电声(扬声器)配件(3)

微特电机(2)

LED(37)

显示屏/显示器件/配件(1)

编码器(2)

其他未分类(59)

贴片晶振13.56MHZ,5V, 7050 OSC
贴片晶振13.56MHZ,5V, 7050 OSC
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贴片晶振13.56MHZ,5V, 7050 OSC

型号/规格:

ECS-250-18-5PX-F-TR

品牌/商标:

台产

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

产品信息

1简介

器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振[1];而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
应用
1.通用晶体振荡器,用于各种电路中,产生振荡频率。
2.时钟脉冲用石英晶体谐振器,与其它元件配合产生标准脉冲信号,广泛用于数字电路中。
3.微处理器用石英晶体谐振器。
4.CTVVTR用石英晶体谐振器。
5.钟表用石英晶体振荡器。

2技术指标

⒈总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡
器频率与给定标称频率的频差。
说明:总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳
定度和频率负载稳定度共同造成的频差。一般只在对短期频率稳定度关心,而对其他频
率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如:精密制导雷达。
⒉ 频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度
或带隐含基准温度的允许频偏。
fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
fTref =±MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|] fT:频率温度稳定度
(不带隐含基准温度)
fTref:频率温度稳定度(带隐含基准温度)
fmax :规定温度范围内测得的频率
fmin:规定温度范围内测得的频率
fref:规定基准温度测得的频率
说明:采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故
fTref指标的晶体振荡器售价较高。
⒊ 频率稳定预热时间:以晶体振荡器稳定输出频率为基准,从加电到输出频率小于规定
频率允差所需要的时间。
说明:在多数应用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些应用中晶体振荡器需要
频繁的开机和关机,这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使
用的军用通讯电台,当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃~85℃),采用OCXO作为本
振,频率稳定预热时间将不少于5分钟,而采用DTCXO只需要十几秒钟)。
⒋ 频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关
系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的,可用规定时限后
的变化率(如±10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内的总频率变化(如:
±1ppm/(年)和±5ppm/(十年))来表示。
说明:TCXO的频率老化率为:±0.2ppm~±2ppm(年)和±1ppm~±5ppm(十
年)(除特殊情况,TCXO很少采用每天频率老化率的指标,因为即使在实验室的条件下,温
度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化,因此这个指标失
去了实际的意义)。OCXO的频率老化率为:±0.5ppb~±10ppb/天(加电72小时后),±
30ppb~±2ppm(年),±0.3ppm~±3ppm(十年)。
⒌频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的
峰值改变量。