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深圳市荣轩电子商行
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产品信息
简史
世界集成电路发展历史
1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中个里程碑；
1950年：结型晶体管诞生
集成电路
1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺
1951年：场效应晶体管发明
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺
1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺
1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为的半导体设备制造公司
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现
1971年：个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明
1974年：RCA公司推出个CMOS微处理器1802
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世
1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出台PC
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
1985年：80386微处理器问世，20MHz
1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段
1989年：1Mb DRAM进入市场
1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺
1992年：64M位随机存储器问世
1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺
集成电路
1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺
2000年：1Gb RAM投放市场
2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。
2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。
我国集成电路发展历史
我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：
1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件
1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化
1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。